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            NEO半導(dǎo)體已獲得了NAND技術(shù)的專利,具有SLC速度的QLC閃存

            日期:2021-08-10 11:40:13      點(diǎn)擊:

            在2020虛擬閃存峰會(huì)期間,NEO半導(dǎo)體首席執(zhí)行官兼創(chuàng)始人Andy Hsu展示了一種新穎的NAND技術(shù)。這是被稱為X-NAND的閃存技術(shù),其特點(diǎn)是將SLC的速度與QLC的高密度與低價(jià)結(jié)合在一起。據(jù)Blocks And Files報(bào)道,NEO半導(dǎo)體已獲得了NAND技術(shù)的專利。這家位于圣何塞的公司成立于2012年,目前擁有20多項(xiàng)與內(nèi)存相關(guān)的專利,而且還在不斷研發(fā)中。

            自NAND閃存誕生以來,一直沒有停下發(fā)展的腳步,基本上都是追求更高的存儲(chǔ)密度。從最初的SLC一直發(fā)展到現(xiàn)在的QLC,存儲(chǔ)密度有了大幅度提升,但隨著單元中位數(shù)增加,讀寫速度相對(duì)更低了,而且耐用性也變差了。

            X-NAND技術(shù)旨在擁有單級(jí)單元(SLC)NAND閃存的速度,同時(shí)提供四級(jí)單元(QLC)NAND閃存的容量,并盡可能以最小的尺寸實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)。據(jù)稱,X-NAND的隨機(jī)讀寫與寫入比QLC閃存快三倍,連續(xù)讀取快27倍,連續(xù)寫入快14倍。此外芯片的尺寸更小,Die Size只有同樣16 planes的NAND閃存的37%,還可以根據(jù)實(shí)際需要縮減芯片的尺寸,功耗也更低。

            X-NAND技術(shù)可以與現(xiàn)有的任何NAND閃存配合使用,不需要進(jìn)行結(jié)構(gòu)更改,沒有額外的制造成本,從而提高了靈活性并簡(jiǎn)化了轉(zhuǎn)換速度。未來NEO半導(dǎo)體很可能會(huì)將X-NAND技術(shù)授權(quán)給NAND閃存芯片的制造商,包括Kioxia(鎧俠)、美光、三星和SK海力士等。

             

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            本文來源:http://www.yingyonglm.com/2021/hyxw_0810/5367.html

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