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中科院正式發聲，國產高端芯片即將量產，已擺脫美國專利鉗制
日期：2021-07-09 16:06:18
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在5G、互聯網等技術的推動下，芯片所扮演“數字糧食”的角色日益凸顯，而作為5G、手機等產業較為領先的國家，我國對芯片的需求也在日益提升。在芯片領域，我國的芯片設計水平不在美國之下;但在制造領域，不得不承認這是我國長期以來被卡脖子的典型，也正是這種原因，讓中興、華為、中芯國際嘗到了“斷糧之苦”!其根本原因就是在中高端芯片領域沒有100%獨立自主的技術。
不過，挑戰也是機遇!美國對我國半導體企業的施壓，讓我們意識到了芯片制造技術國產化的重要性，同時國家為完善半導體產業，相繼多次出臺了相關的利好政策，同時也公布了“鐵令”，要求2025年將芯片自給率提升到70%，這也讓我國迎來了一股“造芯潮”!隨著時間的推移，芯片產業鏈各個環節也迎來了一次大跨步!
根據國內媒體報道，中科院包云崗博士在接受采訪時突然發聲稱，我國經過了多年的耕耘布建，當下國內半導體產業已經開始從高速發展階段開始向高質量階段轉型，已經具備了28nm、14nm等先進工藝芯片的制造技術，并且將在短期內實現規模量產。
我們要知道，在芯片制造領域，28nm是一個分界點，14nm、7nm和更先進的5nm，這些工藝是主要用在PC、手機、平板這些電子數碼領域。而28nm、50n等更成熟工藝的芯片主要用在家用電器，汽車等領域，數據顯示，這些成熟工藝芯片據了半導體市場三分之二左右的份額。
在數碼產品之外，由于更先進的工藝會帶來更強的性能、更低的功耗，14nm工藝已經成了當下應用最廣泛，最具價值的制造工藝，不管是AI芯片、高端處理器還是在汽車、電器領域比較高端，同時也具有很大發展潛力。
我國此前雖然可以量產14nm工藝芯片，但需要ASML的DUV光刻機，美國的技術、日本材料。但是，在這些領域，我國在技術方面已經擺脫了美國的專利鉗制!
半導體供應鏈開始國產化
在光刻機領域，光刻機巨頭上海微電子3月份就完成了28nm精度光刻機的研發，今年年底或明年年初將會實現量產，而包云崗博士的發聲，與上海微電子光刻機的量產時間點較為吻合。而媒體報道，28nm精度的光刻機不僅能實現28nm、14nm芯片的量產，同時最高還可能會實現7nm DUV芯片的生產，重要的是這是我們的國產光刻機，完全實現了去美國化。
光刻材料方面，我國半導體材料巨頭南大光電通過多年的研發，其生產的高分辨率ArF光刻膠也達到了國際標準，并獲得了海外用戶的一筆訂單，可以說在光刻膠領域，我國也打破了美日壟斷，實現了自主、可控。
而14nm芯片的量產，這也意味著我國將可以在5G通訊、高性能計算機等方面實現自給自足的需求，華為的5G業務也不用在擔心被基站芯片卡脖子。不僅如此，據報道國內已經啟動了5nm工藝芯片制造技術的研發，希望能在2021年底打通工藝流程，進而向生產階段邁進。
我國在芯片制造技術方面能取得突破，其實一方面要感謝美國，嚴峻的國際形勢讓我國在芯片制造方面下定了決心;而另一方面，我們也要感謝背后默默付出的科學家。
而在芯片工藝提升的關鍵時刻，我國科研機構、科研企業也應該拿出像明星收入一樣的錢鼓勵這些科學家，加大對5nm芯片制造技術、第三代半導體的投資和研發，相信我國在半導體領域必然有一天會像航天那樣超越美國。
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不過，挑戰也是機遇!美國對我國半導體企業的施壓，讓我們意識到了芯片制造技術國產化的重要性，同時國家為完善半導體產業，相繼多次出臺了相關的利好政策，同時也公布了“鐵令”，要求2025年將芯片自給率提升到70%，這也讓我國迎來了一股“造芯潮”!隨著時間的推移，芯片產業鏈各個環節也迎來了一次大跨步!
根據國內媒體報道，中科院包云崗博士在接受采訪時突然發聲稱，我國經過了多年的耕耘布建，當下國內半導體產業已經開始從高速發展階段開始向高質量階段轉型，已經具備了28nm、14nm等先進工藝芯片的制造技術，并且將在短期內實現規模量產。
我們要知道，在芯片制造領域，28nm是一個分界點，14nm、7nm和更先進的5nm，這些工藝是主要用在PC、手機、平板這些電子數碼領域。而28nm、50n等更成熟工藝的芯片主要用在家用電器，汽車等領域，數據顯示，這些成熟工藝芯片據了半導體市場三分之二左右的份額。
在數碼產品之外，由于更先進的工藝會帶來更強的性能、更低的功耗，14nm工藝已經成了當下應用最廣泛，最具價值的制造工藝，不管是AI芯片、高端處理器還是在汽車、電器領域比較高端，同時也具有很大發展潛力。
我國此前雖然可以量產14nm工藝芯片，但需要ASML的DUV光刻機，美國的技術、日本材料。但是，在這些領域，我國在技術方面已經擺脫了美國的專利鉗制!
半導體供應鏈開始國產化
在光刻機領域，光刻機巨頭上海微電子3月份就完成了28nm精度光刻機的研發，今年年底或明年年初將會實現量產，而包云崗博士的發聲，與上海微電子光刻機的量產時間點較為吻合。而媒體報道，28nm精度的光刻機不僅能實現28nm、14nm芯片的量產，同時最高還可能會實現7nm DUV芯片的生產，重要的是這是我們的國產光刻機，完全實現了去美國化。
光刻材料方面，我國半導體材料巨頭南大光電通過多年的研發，其生產的高分辨率ArF光刻膠也達到了國際標準，并獲得了海外用戶的一筆訂單，可以說在光刻膠領域，我國也打破了美日壟斷，實現了自主、可控。
而14nm芯片的量產，這也意味著我國將可以在5G通訊、高性能計算機等方面實現自給自足的需求，華為的5G業務也不用在擔心被基站芯片卡脖子。不僅如此，據報道國內已經啟動了5nm工藝芯片制造技術的研發，希望能在2021年底打通工藝流程，進而向生產階段邁進。
我國在芯片制造技術方面能取得突破，其實一方面要感謝美國，嚴峻的國際形勢讓我國在芯片制造方面下定了決心;而另一方面，我們也要感謝背后默默付出的科學家。
而在芯片工藝提升的關鍵時刻，我國科研機構、科研企業也應該拿出像明星收入一樣的錢鼓勵這些科學家，加大對5nm芯片制造技術、第三代半導體的投資和研發，相信我國在半導體領域必然有一天會像航天那樣超越美國。
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